DS兩端短接，對(duì)柵偏電壓GS兩端進(jìn)行高速周期正負(fù)柵

 壓沖擊,并配置熱基板環(huán)境

柵偏電壓設(shè)置范圍-15~30V，正負(fù)柵壓切換頻率5K~100KHz, 

占空比20%~80%

系統(tǒng)最多可以配置28個(gè)老化區(qū)，每個(gè)區(qū)最多6個(gè)工位

柵級(jí)電壓上升壓擺率≥1V/nS

關(guān)閉動(dòng)態(tài)測(cè)試，測(cè)試靜態(tài)柵偏漏電，漏電檢測(cè)能力1nA~100uA

Vgs(th)測(cè)試范圍1~10V

可生成柵偏電壓、漏電數(shù)據(jù)、Vgs(th)和熱板溫度數(shù)據(jù)報(bào)表