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高溫阻斷測(cè)試方案

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高溫阻斷測(cè)試方案

IGBT HTRB自動(dòng)測(cè)試線:

UPH:110 Pcs

Layout:9.0m*4.0m

組裝上蓋:

1.IGBT模塊上蓋AGV自動(dòng)上料

2.視覺(jué)定位,確認(rèn)來(lái)料良品,機(jī)械手自動(dòng)組裝

3.誤判率<0.01%,漏判率<0.01%

HTRB測(cè)試:

1.單個(gè)產(chǎn)品測(cè)試時(shí)間:60min,加熱時(shí)間:10min

2.每個(gè)測(cè)試單元包含2套加熱及溫度控制系統(tǒng),4套探針板,1臺(tái)電源,4套數(shù)據(jù)監(jiān)控系統(tǒng),可滿足4個(gè)S3模塊(HPD)的測(cè)試

3.殼溫Tc的控制范圍:室溫~200C,精度:±2C

4.IGBT模塊安裝區(qū)域加熱板溫度均勻度≤3C(加熱板無(wú)需安裝螺絲孔)


上一個(gè): 靜態(tài)測(cè)試
下一個(gè): 被動(dòng)循環(huán)