對GaN MOS施加規(guī)定溫度、電壓、電流、開關頻率對器件進行動態(tài)HTOL篩選
Vds電壓范圍0~650v,Ids電流范圍0.1~3A,Vds程控,Ids通過老化板電阻設置
電壓電流應力交替頻率范圍是10kHz~500kHz,占空比范圍范圍2~50%
通(電流應力)狀態(tài),柵級電壓可設置范圍是3~15V,關斷(電壓應力)狀態(tài),柵級電壓可設置范圍是-10~-1V
殼溫溫度檢測和控制范圍0~200℃,可配置熱板平臺環(huán)境,RDSON檢測范圍1mΩ~160mΩ,可生成殼溫、RDSON數(shù)據(jù)報表