產(chǎn)品類型:N/P-Mos FET, N/P-TR, N/P-IGBT, N/P DI
預(yù)測(cè)試功能:接觸,開(kāi)/短路測(cè)試
測(cè)量項(xiàng)目:VBE1 / VDS1 / VGS 1/ VF1 / VCE / △VBE / △VDS / △VGS / △VCE / △VF
測(cè)量范圍:0000 - 9999mV,分辨率: 1mV
VDS:200V
ID:50A
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