對SIC MOS施加規(guī)定溫度、電壓、電流、開關(guān)頻率對器件進(jìn)行動(dòng)態(tài)HTOL篩選

Vds電壓設(shè)置范圍是0~1200V，Ids測量電流0.1A~30A，Vds電壓通過軟件程控設(shè)置，Ids電流通過老化板限流電阻設(shè)置

電壓電流應(yīng)力交替頻率范圍是10kHz~300kHz，占空比范圍范圍2~50%

導(dǎo)通（電流應(yīng)力）狀態(tài)，柵級電壓可設(shè)置范圍是3~15V，關(guān)斷（電壓應(yīng)力）狀態(tài)，柵級電壓可設(shè)置范圍是-15~-1V

殼溫溫度檢測和控制范圍0~200℃，可配置熱板平臺環(huán)境

RDSON檢測范圍1mΩ~160mΩ

可生成殼溫、RDSON數(shù)據(jù)報(bào)表