對(duì)GaN MOS施加規(guī)定溫度、電壓、電流、開(kāi)關(guān)頻率對(duì)器件進(jìn)行動(dòng)態(tài)HTOL篩選

Vds電壓范圍0～650v，Ids電流范圍0.1～3A，Vds程控，Ids通過(guò)老化板電阻設(shè)置

電壓電流應(yīng)力交替頻率范圍是10kHz~500kHz，占空比范圍范圍2~50%

通（電流應(yīng)力）狀態(tài)，柵級(jí)電壓可設(shè)置范圍是3~15V，關(guān)斷（電壓應(yīng)力）狀態(tài)，柵級(jí)電壓可設(shè)置范圍是-10~-1V

殼溫溫度檢測(cè)和控制范圍0~200℃，可配置熱板平臺(tái)環(huán)境，RDSON檢測(cè)范圍1mΩ~160mΩ，可生成殼溫、RDSON數(shù)據(jù)報(bào)表